• 本装置は簡単に2つの材料を抵抗加熱により蒸着出来る装置です。
• 蒸着源はボートタイプで、基板は支柱上のプレートに取付けられており、高さは任意に変えられます。
• 排気系は、DPとRPを併用しておりますので、短時間で高真空が得られます。

• SUSチャンバー
• 到達圧力　7×10^-2Pa
• 基板ホルダー　φ1インチ
• 抵抗加熱蒸着源　Wボートタイプ　2基
• DP1500L/s
• RP220L/m
• ピラニー真空計　電離真空計　標準装備
• シャッター機構

• 実験用に極端に簡素化して製作しております。
• マスフロー本体は、メーカー品を使用し、表示器、設定器は当社オリジナルで製作し価格を下げております。
• プラズマ発生域と試料の距離を変更できるよう、マイクロ波導波管を上下できる機構を備えています。
• 試料の取付は、下部よりモーターによる上下機構で交換いたします。
• 漏洩マイクロ波検出用も付属しています。

• マイクロ波出力：1.5Kw
• 排気：ロータリーポンプ
• 導入ガス：5系統（配管加熱付き）
• 温調：試料ステージ試料加熱（4系統）
  配管加熱（2系統）
• 真空計：バラトロン

• サンプルMAXサイズ10mm口
• 600℃までヒーター加熱
• RPにて排気、MAX 5Pa
• O₂ x 1 Ar x 4系統　MFC仕様
• φ300 x 300H　チャンバーサイズ

• 排気系：ロータリーポンプ（ターボポンプ御要望の場合は別途御相談下さい。）
• 試料ステージサイズ：20 × 40
• 試料ステージ回転機構：ステッピングモーター（回転速度可変可能）
• 真空計：ピラニー真空計
• レーザー入射装置：位置決め機構付き
  （X・Y・ゴニオ機構）
• チャンバー水冷機構付き

＊YAGレーザーは価格には含まれておりません。

• 本装置は酸化シリコンを成膜する為のCVD装置です。3インチウェハ対応となっております。

• 真空排気：ターボポンプ
• ヒーター：SiC　MAX1200℃
• 水冷：外周蛇管　上フランジジャケット
• 外寸：φ360 x 500H
• 内面処理：電解研磨
• ガスケット：金メッキ銅ガスケット
• チャンバー材質：SUS316
• ガス吐出基板長間可変：0mm ～ 50mm

• 本装置は、1.3インチマグネロンスパッタカソードを搭載した実験用高真空小型制膜装置です。
• 放電用にマッチングユニット付きのRF電源を一台装備します。酸化反応スパッタリングに対応できるデュアルガスノズルを備えます。
• 対応基板は最大 φ1インチまで処理が可能です。

• 構成：成膜室および排気系、ガス導入系
• 到達圧力：6.7 x 10^-5Pa以下（排気後３時間）
• 基板サイズ：1インチSiウェハ1枚
• 膜圧分布：±5%以下（1インチ基板のφ20mm内）
• ターゲット寸法 ：φ25.4mm x 3t(非磁性金属材料など）
• RF出力：最大300W オートマッチング付き
• プロセス圧力：0.1Pa ～ 1.0Pa(Arガス）

• 本装置は、化学溶液法による積層薄膜作製プロセスである、スピンコーティング、乾燥、焼成、冷却の各工程の繰り返しをロボットを用いて行い、多層塗りによる厚膜の作製を自動で行う装置です。
• コンピュータコントロールによるプログラム設定により、スピンコーティング、乾燥、焼成、冷却の各工程の詳細な条件設定並びに、工程の省略、工程フローの変更、工程の保存が任意に出来るプログラムとなっております。

• 基板サイズ：最大3インチ（2インチ、20mm角はチャック部アタッチメントで対応）
• スピンコータ回転数：0 ～ 5000rpm（±1rpm）
• 焼結温度：～800℃（均熱領域50mm）
• 基板冷却：乾燥窒素吹付け
• ロボット停止精度：±50μm
• ディスペンサー：エアーパルス方式、滴下量0.05ml以上

設置条件

• 所要スペース：Ｗ1260×Ｄ615×Ｈ850
• 所要電力：AC200V　3相　3KVA
• 所要冷却水：2L／min　水温25℃以下
  水圧1～2kg／cm²
• 所要乾燥窒素：4～5kg／cm²